Иоффе Абрам (Авраам-Израиль) Федорович (Файвишевич)

1905-1906 гг. ассистент при Физическом институте Мюнхенского университета. С осени 1906 г. до 1948 г. работал в Петербургском (с 1924 г. Ленинградском) политехническом институте в начале лаборантом, с 1913 г. экстраординарным, с 1915 г. ординарным профессором. В 1919-1948 гг. с перерывами состоял деканом физико-механического факультета института. 1918 г. член-корреспондент РАН. 1920 г. академик РАН. 1926-1929, 1942-1945 гг. вице-президент АН СССР. В октябре 1918 г. по инициативе Иоффе был создан физико-технический отдел в Рентгенологическом и радиологическом институте (ЛФТИ), который он возглавлял до 1951 г. Директор Агрофизического института (1932-1960 гг.), Лаборатории полупроводников АН СССР (1952-1955 гг.), Института полупроводников АН СССР (с 1955 г.). В годы Великой Отечественной войны возглавлял Комиссию по новой технике в Ленинграде (с 1941 г.), был председателем военной и инженерной комиссии при Ленинградском горкоме ВКП(б) (1942 г.).

Инициатор создания в 1919 г. физико-механического факультета в Политехническом институте в Петрограде, а также физико-технических институтов в Харькове, Днепропетровске, Свердловске, Томске. Главный редактор «Журнала прикладной физики» (1924-1930 гг.), «Журнала экспериментальной и теоретической физики» (1931-1938 гг.), «Журнала технической физики» (1931-1959 гг.).

Два Ордена Ленина (1940 г., 1945 г.), медаль «За оборону Ленинграда» (1944 г.). 1933 г. Заслуженный деятель науки РСФСР.

1942 г. Государственная премия 1-й ст. (Сталинская премия) 1955 г. получил звание Героя Социалистического труда 1961 г. лауреат Ленинской премии (посмертно)

Научные исследования по прочности, пластичности и электропроводности твердого тела. И. принадлежит заслуга в изучении физики полупроводников, термоэлектрическому преобразованию энергии с помощью полупроводников. Автор теорий термоэлетрогенераторов, термоэлектрических регуляторов, плазменного термоэлектричества. Вклад в науку: И. измерил заряд электрона, магнитное поле катодных лучей, открыл внутренний фотоэффект и механизм электропроводности ионных кристаллов. Ученому принадлежит объяснение величины реальной прочности кристаллов («эффект Иоффе»). Исследовал электропроводность полупроводников в сильных и слабых полях.

Физика кристаллов. М.; Л., 1929.

Основные представления современной физики. М.; Л., 1964.

Избранные труды. Л., 1974-1975. Т. 1-2.

Абрам Федорович Иоффе (1880-1960). (Материалы к биоблиографии ученых СССР. Серия физики. Вып. 25). М., 1981.

Проблемы современной физики: Сб. статей к 100-летию со дня рождения А. Ф. Иоффе. Л., 1981.

Соминский М.С. Абрам Федорович Иоффе. М., 1981.

Чернощекова М. А.Ф. Иоффе. М., 1983.

Личные фонды – Архив ПФА РАН. Ф. 910. 202 д. ЦГИА СПб Ф. 14. Оп. 1. № 10767. О защите Иоффе диссертации на степень магистра физики и о допущении его к чтению лекций в звании приват-доцента (май 1913 г.).

А.Л. Корзинин, И.В. Сидорчук